[发明专利]光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法在审
| 申请号： | 202310028733.5 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN116224715A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞雄;李柏璇;吕安云;陈冠廷;陈柏熊;林本坚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法，制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层，将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射，及显影选择性地曝光的光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，该光敏化合物溶解于溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的分子簇化合物组成。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻剂 半导体 装置 制造 方法 紫外线 微影术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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