[发明专利]光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：

在一基板上形成一光阻剂层；

将该光阻剂层选择性地曝露于一极紫外线辐射；及

显影该选择性曝光的光阻剂层，

其中该光阻剂层具有一组成物，包含：

一溶剂；及

一光敏化合物，溶解于该溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的一分子簇化合物组成。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该分子簇化合物为(RSn)₆O₄(R'CO₂)₄(R”CO₂)₄Cl₂。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该R'的尺寸小于该R”的尺寸。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该R'及该R”具有相同的结构式。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该分子簇化合物为(n-BuSn)₆O₄(CH₃CO₂)₈Cl₂。

6.一种极紫外线微影术方法，其特征在于，包含以下步骤：

打开一液滴产生器，将一金属液滴喷射至一收集器前面的一激发区；

打开一激光源向该激发区发射一激光，使得该金属液滴由该激光加热，以产生极紫外线辐射；

通过使用一或多个第一光学器件将该极紫外线辐射导向一曝光装置中的一反射罩幕；及

通过使用一或多个第二光学器件将由该反射罩幕反射的该极紫外线辐射导向该曝光装置中的一光阻剂涂覆基板，

其中该光阻剂包含：

一溶剂；及

一光敏化合物，溶解于该溶剂且含有下式(I)：

(RSn)₆O₄(R'CO₂)₄(R”CO₂)₄X₂(I),

其中X为一卤素阴离子，

R为一烷基，且

R、R'及R”中的每一者为如下所示的该些烷基中的一者：

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，其中该式(I)为(RSn)₆O₄(R'CO₂)₄(R”CO₂)₄Cl₂。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该光敏化合物通过以下步骤形成：

在一有机溶剂中加入RSnCl₃及一第一羧酸银盐形成一混合物；及

在回流下搅拌该混合物，且通过再结晶纯化该混合物。

9.一种光阻剂，其特征在于，包含：

一溶剂；及

一光敏化合物，溶解于该溶剂且含有下式(I)：

(RSn)₆O₄(R'CO₂)₄(R”CO₂)₄X₂(I),

其中X为一卤素阴离子，

R为一烷基，且

R、R'及R”中的每一者为如下所示的该些烷基中的一者：

10.如权利要求9所述的光阻剂，其特征在于，其中该光敏化合物具有至少一种梯型结构。