[发明专利]光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法

说明书

一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法，制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层，将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射，及显影选择性地曝光的光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，该光敏化合物溶解于溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的分子簇化合物组成。

技术领域

本揭露是有关于一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法。

背景技术

随着现代集成电路尺寸缩小，相关特征的尺寸亦缩小。微影术为一种将罩幕上的图案投影至诸如半导体晶圆的基板上的机制。在半导体微影术等领域，有必要在半导体晶圆上创建影像，该些影像在解析极限或临界尺寸(critical dimension，CD)下含有最小特征尺寸。半导体微影术通常包括在半导体晶圆的顶表面(例如，薄膜堆叠)上施加光阻剂(亦称为抗蚀剂)涂层及将光阻剂曝露于图案的步骤。然后将半导体晶圆转移至显影室以移除曝露的抗蚀剂，该抗蚀剂可溶于显影剂水溶液。因此，在晶圆的顶表面上存在图案化的光阻剂层。

发明内容

根据本揭露的一实施例的一态样，一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层；将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射；及显影选择性地曝光的光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，光敏化合物溶解于溶剂且由结合六聚体锡及两个氯配体的分子簇化合物组成。

根据本揭露的一实施例的一态样，极紫外线微影术(extreme ultravioletlithography，EUVL)方法包括以下步骤：打开液滴产生器以将金属液滴喷向收集器前面的激发区；打开激光源以向激发区发射激光，使得金属液滴由激光加热以产生EUV辐射；通过使用一或多个第一光学器件将EUV辐射导向曝光装置中的反射罩幕；及通过使用一或多个第二光学器件将由反射罩幕反射的EUV辐射导向曝光装置中的光阻剂涂覆基板。光阻剂包括溶剂及光敏化合物，光敏化合物溶解于溶剂且含有下式(I)：

(RSn)₆O₄(R'CO₂)₄(R”CO₂)₄X₂(I)

其中X为卤素阴离子，R为烷基，R、R'及R”中的每一者都为如下所示的烷基之一：

根据本揭露的一实施例的一态样，光阻剂包括溶剂及光敏化合物，光敏化合物溶解于溶剂且含有下式(I)：

(RSn)₆O₄(R'CO₂)₄(R”CO₂)₄X₂(I)

其中X为卤素阴离子，R为烷基，R、R'及R”中的每一者都为如下所示的烷基之一：

附图说明

结合附图，根据以下详细描述可以最好地理解本揭示内容。注意，根据行业中的标准实务，各种特征未按比例绘制并且仅出于说明目的。实际上，为了讨论清楚起见，各种特征的尺寸可任意增加或减小。

图1A为根据本揭示内容的一些实施例的具有基于LPP的EUV辐射源的EUV微影术工具的示意图；

图1B为根据本揭示内容的实施例的极紫外线微影术工具的细节的简化示意图，示出了用图案化的EUV光束曝光光阻剂涂覆基板；

图2为根据本揭示内容的一些实施例构造的EUV罩幕的剖视图；

图3、图4及图5为根据本揭示内容的各个态样的半导体装置在各个制造阶段的示意性局部横剖面侧视图；