[发明专利]半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202310023923.8 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN115831722B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张铁柱;操梦雅;刘浩;张震 | 申请（专利权）人： | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/762 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 董婷婷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法。所述方法包括：提供衬底；于衬底内形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；浅沟槽隔离结构的顶部边缘与有源区之间具有边槽；于有源区的上表面形成第一介质层；于第一介质层的上表面以及浅沟槽隔离结构的上表面形成硬掩膜层；硬掩膜层填满边槽；于硬掩膜层的上表面形成第二介质层；刻蚀第二介质层及硬掩膜层，以得到图形化介质层及图形化硬掩膜层，图形化介质层及图形化硬掩膜层内形成开口，开口暴露出部分第一介质层的上表面、部分浅沟槽隔离结构及部分边槽；暴露出的边槽内具有残留硬掩膜层；去除残留硬掩膜层。采用本方法能够节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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