[实用新型]一种Mosfet半导体器件有效
| 申请号： | 202223330669.6 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN219106136U | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋高喜;陈颖 | 申请（专利权）人： | 无锡鑫泽半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/467 |
| 代理公司： | 无锡三谷高智知识产权代理事务所(普通合伙) 32569 | 代理人： | 张姝 |
| 地址： | 214101 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种Mosfet半导体器件，包括安装底板和散热机构。该Mosfet半导体器件，通过散热机构中散热块、连接凸耳、螺钉、开孔、电机外壳、电机、转轴、扇叶、连接开孔、固定螺钉、散热孔和滤网的设置，散热块通过两侧开设的连接凸耳通过螺钉与安装底板固定连接，散热块与安装底板之间安装有Mosfet半导体，Mosfet半导体与散热块之间为卡槽连接，Mosfet半导体散发热量传导到散热块内，散热块通过散热片将热量散发形成第一次散热，散热块内部两侧开设有连接开孔，电机外壳通过固定螺钉与散热块稳定链接，然后转轴和扇叶在电机的运转带动下旋转，对散热块进一步进行散热，从而达到Mosfet半导体内部的热量及时排除，散热效果好，提高散热效率，增加使用寿命的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 半导体器件 | ||
【主权项】：
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