[实用新型]半导体反应气体传送装置及半导体沉淀设备

摘要

本实用新型提供了一种半导体反应气体传送装置及半导体沉淀设备，涉及半导体设备的技术领域，包括腔体机构、源头机构和传送管路；传送管路位于腔体机构的外部，传送管路的两端分别与腔体机构和源头机构连接，源头机构用于通过传送管路向腔体机构输送反应气体；通过将传送管路设置于机台的外部，避免了穿腔进入的方式，缓解了现有技术中存在的传送管路穿过反应腔室的腔壁进入反应腔室内，容易造成开腔后水汽或其他杂质进入至管路内部产生颗粒，加长吹扫时间造成成本增加影响产能，以及无法保证整条管路的温度均匀性的技术问题。