[实用新型]一种超低热阻的大功率SiC功率模块有效
| 申请号： | 202222993706.5 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN219144168U | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 尚海;梁琳;颜辉;孙祥玉;邵凌翔;陈晨 | 申请（专利权）人： | 常州瑞华新能源科技有限公司;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/29;H01L23/34;H01L23/373;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人： | 夏佳 |
| 地址： | 213200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电子电力技术领域，具体涉及一种超低热阻的大功率SiC功率模块，包括SiC MOSFET芯片，SiC MOSFET芯片连接有缓冲导电片，缓冲导电片和SiC MOSFET芯片之间设置有焊料层，缓冲导电片连接有导电铜片，缓冲导电片包括上缓冲导电片和下缓冲导电片，上缓冲导电片和下缓冲导电片分别设置在SiC MOSFET芯片的顶部和底部，上缓冲导电片的上方设置有散热器，且下缓冲导电片的底部连接有散热器，下缓冲导电片和设置在下缓冲导电片底部的散热器之间设置有导热硅脂。本实用新型通过改变模块结构缩短芯片向上和向下的散热路径，实现模块热阻的降低，以实现小体积下同样的散热性能，提高模块的功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低热 大功率 sic 功率 模块 | ||
【主权项】：
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