[实用新型]一种具有介电质边框的微型发光二极管有效
| 申请号： | 202222633550.X | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN218586004U | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 王晓靁;施能泰;宋高梅 | 申请（专利权）人： | 王晓靁 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/36;H01L33/44;H01L33/12;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 厦门市天富勤知识产权代理事务所(普通合伙) 35244 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 中国台湾桃园市芦*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种具有介电质边框的微型发光二极管，该微型发光二极管包括：一n型掺杂层磊晶于磊晶基板上；一介电质边框形成于磊晶基板或n型掺杂层上；一多重量子阱层成长于介电质边框中，且位于n型掺杂层上；一p型掺杂层成长于介电质边框中，且位于多重量子阱层上；一第一金属电极导接于p型掺杂层；一第二金属电极导接于n型掺杂层或磊晶基板；以及一保护层覆于介电质边框及透明电流分散层之外表面，并暴露出第一金属电极及第二金属电极；有效避免平台蚀刻所造成的瑕疵，从源头解决Micro‑LED的EQE急速下降的问题，有效提高Micro LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 介电质 边框 微型 发光二极管 | ||
【主权项】：
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