[实用新型]一种具有介电质边框的微型发光二极管

权利要求书

1.一种具有介电质边框的微型发光二极管，其特征在于：是供成型于一磊晶基板上，该微型发光二极管包括：

一n型掺杂层，磊晶在磊晶基板上；

一介电质边框，形成在磊晶基板或n型掺杂层上；

一多重量子阱层，成长在介电质边框中，并且位于n型掺杂层上；

一p型掺杂层，成长在介电质边框中，并且位于多重量子阱层上；

一第一金属电极，导接至p型掺杂层供导通电流；

一第二金属电极，导接至n型掺杂层或磊晶基板；以及

一保护层，覆设在介电质边框的外表面，并暴露出第一金属电极及第二金属电极。

2.如权利要求1所述的一种具有介电质边框的微型发光二极管，其特征在于：所述介电质边框设置在n型掺杂层上；多重量子阱层和p型掺杂层叠层成长在介电质边框的第一凹穴中；第二金属电极设置在介电质边框之外，或者，叠层旁的介电质边框形成第二凹穴，第二金属电极设置在第二凹穴中。

3.如权利要求1所述的一种具有介电质边框的微型发光二极管，其特征在于：所述介电质边框设置在磊晶基板上，n型掺杂层位于介电质边框中。

4.如权利要求3所述的一种具有介电质边框的微型发光二极管，其特征在于：所述n型掺杂层、多重量子阱层和p型掺杂层叠层成长在介电质边框的第一凹穴中；第二金属电极设置在介电质边框之外，或者，叠层旁的介电质边框形成第二凹穴，第二金属电极设置在第二凹穴中。

5.如权利要求1所述的一种具有介电质边框的微型发光二极管，其特征在于：还包括位于p型掺杂层和第一金属电极之间的一透明电流分散层，保护层覆设在介电质边框及透明电流分散层的外表面。

6.如权利要求1所述的一种具有介电质边框的微型发光二极管，其特征在于：所述第二金属电极导接于n型掺杂层时，磊晶基板为一蓝宝石基板，且n型掺杂层的材料为n型氮化镓或n型氮化铟镓，多重量子阱层的材料为氮化铟镓，且p型掺杂层的材料为p型氮化镓或p型氮化铟镓。

7.如权利要求1所述的一种具有介电质边框的微型发光二极管，其特征在于：所述第二金属电极导接于磊晶基板时，磊晶基板为一砷化镓导电基板，且n型掺杂层的材料为n型磷化铝镓铟，该多重量子阱层的材料为磷化铝镓铟，且该p型掺杂层的材料为p型磷化铝镓铟。

8.如权利要求1所述的一种具有介电质边框的微型发光二极管，其特征在于：所述介电质边框的内壁由上而下向内倾斜；或者，所述介电质边框的外壁由上而下向内倾斜。

9.如权利要求1所述的一种具有介电质边框的微型发光二极管，其特征在于：所述介电质边框的材料为二氧化硅及氮化硅其中至少一种，p型掺杂层和第一金属电极之间的一透明电流分散层，透明电流分散层的材料为氧化铟锡，保护层包括一钝化层或一反射层，钝化层的材料为氧化铝及二氧化硅其中之一，且反射层为一分布式布拉格反射器。