[实用新型]用于MEMS气敏材料贵金属浸渍及紫外辐照的装置有效

申请号：	202222357430.1	申请日：	2022-09-05
公开（公告）号：	CN218146942U	公开（公告）日：	2022-12-27
发明（设计）人：	蒯贇;沈光宇	申请（专利权）人：	安徽维纳物联科技有限公司
主分类号：	C23C18/14	分类号：	C23C18/14;C23C18/42
代理公司：	合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124	代理人：	张景云
地址：	230088 安徽省合肥市蜀山经济开发***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	本实用新型提供一种用于MEMS气敏材料贵金属浸渍及紫外辐照的装置，包括箱体，在箱体内固定有紫外辐照灯、吸盘、加热盘、贵金属浆料注射器；在所述吸盘上放置加热盘，在加热盘上放置MEMS气体传感器半成品片，所述吸盘与外部负压设备连通；所述贵金属浆料注射器的出料口位于MEMS气体传感器半成品片待注浆位置上方；所述紫外辐照度位于MEMS气体传感器半成品片上方。本实用新型搭建的装置将溶液浸渍和紫外辐照进行工艺整合，结合二者的优势，为金属氧化物半导体传感器贵金属纳米结构负载提供一种新装置，可实现贵金属纳米结构的均匀负载。
搜索关键词：	用于 mems 材料贵金属浸渍紫外辐照装置
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摘要：本发明涉及纳米材料制备领域，尤其是一种包覆银纳米粒子的银纳米锥阵列以及制备方法，其中，本发明提供的一种包覆银纳米粒子的银纳米锥阵列包括由多个阵列排布在基底上的银纳米锥，所述银纳米锥包括聚丙烯酸锥心和银膜表层，所述聚丙烯酸锥心包覆银纳米粒子。本发明提供的包覆银纳米粒子的银纳米锥阵列，其银纳米锥阵列的表面传导型等离子体共振和银纳米锥内部银纳米粒子的局部表面等离子体共振可以同时耦合入射光子，不仅实现金属纳米颗粒与金属微纳米阵列结构的结合，还可通过优化银纳米锥的高度与底部直径的长径比以优化耦合效应，同时，本发明的银纳米粒子与银纳米锥阵列之间的结构以及结合为实现等离子体增强传感器提供了有效设计和新思路。

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摘要：本实用新型提供一种用于MEMS气敏材料贵金属浸渍及紫外辐照的装置，包括箱体，在箱体内固定有紫外辐照灯、吸盘、加热盘、贵金属浆料注射器；在所述吸盘上放置加热盘，在加热盘上放置MEMS气体传感器半成品片，所述吸盘与外部负压设备连通；所述贵金属浆料注射器的出料口位于MEMS气体传感器半成品片待注浆位置上方；所述紫外辐照度位于MEMS气体传感器半成品片上方。本实用新型搭建的装置将溶液浸渍和紫外辐照进行工艺整合，结合二者的优势，为金属氧化物半导体传感器贵金属纳米结构负载提供一种新装置，可实现贵金属纳米结构的均匀负载。

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摘要：本发明公开了一种基于立体成型的叶轮陶瓷涂层的制备方法，其首先获得叶轮的投影图，并在二维图中以明暗程度体现出不同位置的紫外光照射剂量，选择叶轮旋转的转速，在紫外光照射叶轮的同时对叶轮进行旋转，此时叶轮周围的陶瓷前驱体会在叶轮表面进行固化，接着将表面带有固化层的叶轮取出进行烧结，最终得到表面带有陶瓷涂层的叶轮。该方法涂覆均匀，操作简单，剩余陶瓷前驱体可重复使用。

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摘要：一种一步化凝胶溶胶提拉烧结镀膜装置，包括固定座、可沿固定座上下移动的待镀膜元件夹持件、置于固定座的底座上的溶胶容器、对称布置在待镀膜元件夹持件两侧的两组镀膜元件烧结组件，镀膜元件烧结组件包括透镜、激光发射器，透镜位于待镀膜元件夹持件与激光发射器之间，使用时，先向溶胶容器中加入溶胶溶液，并采用待镀膜元件夹持件夹紧待镀膜元件，再使待镀膜元件夹持件沿固定座向下移动至待镀膜元件的待镀膜区域完全浸入溶胶溶液中，随后使待镀膜元件夹持件沿固定座向上移动以实现镀膜元件的提拉，在提拉过程中，开启激光发射器，来自激光发射器的激光通过透镜汇聚在镀膜元件表面，对其进行烧结。本设计不仅提高了镀膜效率，而且结构简单。

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摘要：本实用新型涉及的是纳米功能材料制备领域，具体是一种流化床光沉积装置，上述流化床光沉积装置包括：流化装置，流化装置内设置有载体颗粒，载体颗粒上承载有贵金属离子，流化装置用于将载体流化；光源，光源的照射方向朝向于流化装置内流化的载体颗粒，以使贵金属离子还原为贵金属纳米颗粒，通过光化学反应，将贵金属离子还原为贵金属纳米颗粒，并依附在载体颗粒上，以此来形成负载型超细贵金属复合催化剂，通过该方法制备的负载型超细贵金属复合催化剂的纳米颗粒十分均匀，不易发生迁移，减小了颗粒的尺寸，提高了原子的利用效率，且该方法的实用性强，操作简便，便于生产，降低了生产成本。

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摘要：本发明涉及一种金属图案化的透明光敏聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用。该金属图案化的透明光敏聚酰亚胺薄膜包括聚酰亚胺薄膜和附着于聚酰亚胺薄膜表面的具有图案的金属镀层；聚酰亚胺树脂具有如式(Ⅰ)或式(Ⅱ)所示结构：本发明提供的金属图案化的透明光敏聚酰亚胺薄膜具有光致变色性、可溶性和优良的柔性，可用于制备柔性电子设备的线路板；金属镀层与聚酰亚胺表面附着力强，镀层表面光滑、细致且镀层厚度均匀；对其溶解处理后还可回收聚酰亚胺树脂和其上的镀层中的金属，真正意义上实现了电子电路产品使用寿命结束后，柔性电路基板及相关线路板制品的零废弃和全回收再生利用，具有巨大的经济效益和环保意义。

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摘要：提出了一种用于光致材料沉积的方法，包括以下步骤：‑提供包含金属盐或金属离子的第一溶液(10)；‑提供包含光敏还原剂、例如半导体纳米颗粒的第二溶液(12)；‑将第一溶液(10)和第二溶液(12)混合，以在衬底(16)上形成试剂(14)；和‑将光源聚焦在试剂(14)上，以在光源的焦点处形成结实的沉积。还提出了一种用于执行这种方法的设备。此外，进一步提出了一种用于光致材料处理的方法以及一种相应的设备。

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发明人：胡一说;曾祥斌;王文照;吴少雄;徐素娥;曾洋;李寒剑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C23C18/14
摘要：本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，其中制备方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为五氯化钼或者四氯化钨，B为硫脲或者硒脲，C为异丙醇、乙醇或者甲醇，将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上；用激光器照射置于硅片表面的前驱体，激光器输出功率为20W～200W，照射时间0.02s～2s，照射在真空环境或惰性气氛环境下进行，得到二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明采用的激光制备二维过渡金属硫族化合物薄膜，其工艺流程简单，可以在短时间内获得高质量的二维过渡金属硫族化合物薄膜，适合大批量生产。

一种贵金属负载石墨烯材料的制备方法-201811598243.4
发明人：陈卫光;唐亚楠;张红卫;柴花斗;李成刚;潘立军 -专利权人：郑州师范学院
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C23C18/14
摘要：本发明属于石墨烯复合材料技术领域，特别提供了一种贵金属负载石墨烯材料的制备方法，包含如下步骤：将氧化石墨、桥接试剂和分散溶剂超声分散，得到分散液；将所述分散液和贵金属盐溶液混合后进行辐照，得到贵金属负载石墨烯材料。本发明以氧化石墨为原料，制备成本大大降低；使用辐照的方法同时对氧化石墨和重金属离子进行还原，避免了有毒还原剂的使用，绿色环保。此外，本发明所述制备方法操作简便，易于实施，能够进行扩大生产。

薄膜形成方法及薄膜形成装置-201811099484.4
发明人：柿村崇;北村嘉孝;高田令;A·诺伊曼;C·布林克默勒 -专利权人：株式会社斯库林集团;赢创德固赛有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C18/14
摘要：本发明提供一种形成具有良好的电特性的包含氧化铟的薄膜的薄膜形成方法及薄膜形成装置。在清洗后的基板的表面上涂布包含氧化铟前驱体的涂布液，从而在基板上形成涂布膜。一边对该基板进行冷却，一边在大气环境中向涂布膜照射紫外线，从而使氧化铟前驱体光学活化。另外，对紫外线照射处理后的基板进行加热，从而使氧化铟前驱体热活化。对基板进行冷却，不对涂布膜进行加热而向该涂布膜照射紫外线，从而能够形成具有良好的电特性的包含氧化铟的薄膜。

亚稳态高镁MgZnO固溶合金薄膜激光烧蚀制作方法-201611052809.4
发明人：刘全生;张希艳;柏朝晖;卢利平;王晓春;王能利;米晓云;孙海鹰 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C23C18/14
摘要：亚稳态高镁MgZnO固溶合金薄膜激光烧蚀制作方法属于光学功能材料技术领域。现有技术Mg的掺杂量一般都小于0.33。本发明之亚稳态高镁MgZnO固溶合金薄膜激光烧蚀制作方法属于一种Sol‑Gel法，其特征在于，确定Mg_xZn_1‑xO中的x的值为：0.25≦x≦0.75，按所述x的值确定乙酸锌和乙酸镁的摩尔比，将所述乙酸锌和乙酸镁溶于有机溶剂，加入与锌离子和镁离子等物质量的乙醇胺，搅拌后得溶胶液；将所述溶胶液旋涂于基片上，低温热处理得凝胶膜；采用激光烧蚀所述凝胶膜，激光功率为5～30W，烧蚀时间为1～1000sec，激光光源出光口与凝胶膜之间的距离为1～50cm，得亚稳态高镁MgZnO固溶合金薄膜。

光沉积制备Bi/BiVO₄复合光电阳极材料的方法-201610936131.X
发明人：王其召;牛腾娇;和继娟;白燕;张淑玲;佘厚德;王芳平 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C23C18/14
摘要：本发明公开了一种光沉积制备Bi/BiVO₄复合光电阳极的方法，是将BiVO₄电极浸于Bi(NO₃)₃·5H₂O的乙二醇/水混合溶液中，光照使得在BiVO₄电极表明均匀生长一层灰黑色膜；用乙醇洗涤，即得Bi/BiVO₄复合光电阳极。本发明利用简单的光还原过程将Bi金属粒子成功的负载到了多孔BiVO₄薄膜上，而且金属Bi粒子的引入扩大了钒酸铋对可见光吸收范围；另外，金属Bi粒子中的电子转移到BiVO₄导带上从而提高载流子的浓度，在纯Na₂SO₄溶液中BiVO₄表面的空穴氧化了部分金属Bi纳米粒子，有效促进了电子‑空穴对的分离，提高了光电化学分解水的性能。

用于制备金属结构的方法-201810354776.1
发明人： P.W.德奥里维拉;K.莫;E.阿茨 -专利权人：新型材料莱布尼兹研究所公益性有限责任公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C23C18/14
摘要：本发明涉及用于制备金属结构的方法，其中将包含光催化活性物质的引发剂组合物施加到基底上。向该层上涂覆通过纳米棒的光催化活性可还原成金属的前体组合物。然后将结构模板施加到引发剂层上，部分挤出前体组合物，接着辐照该基底。由此可以获得结构化金属结构。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理

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[实用新型]用于MEMS气敏材料贵金属浸渍及紫外辐照的装置有效

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