[实用新型]功率芯片封装结构有效
| 申请号： | 202222024327.5 | 申请日： | 2022-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN217881489U | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 胡志武;董天源 | 申请（专利权）人： | 采埃孚电驱动科技（沈阳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L25/07 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 110141 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请提供一种功率芯片的封装结构，包括绝缘层，还包括：设置于绝缘层上的漏极金属片，该漏极金属片具有第一侧边；栅极金属片，设置于绝缘层上，且与漏极金属片的第一侧边相邻，栅极金属片具有驱动端子连接区，驱动端子连接区位于栅极金属片的一侧；第一芯片和第二芯片，沿第一侧边相邻地设置于漏极金属片，第一芯片具有第一栅极键合区，第二芯片具有第二栅极键合区，其中，栅极金属片设计为使第一栅极键合区到驱动端子连接区的电感与第二栅极键合区到驱动端子连接区的电感相同。本申请的封装结构通过对第一连接部和第二连接部的改进提高了第一芯片和第二芯片的栅极驱动走线电感的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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