[实用新型]一种碳化硅外延炉的源载气输送结构有效
| 申请号： | 202221270249.0 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN217499501U | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王殿;郭帝江;张敏;师开鹏 | 申请（专利权）人： | 西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所） |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/14;C30B25/10 |
| 代理公司： | 山西华炬律师事务所 14106 | 代理人： | 陈奇 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅外延炉的源载气输送结构，解决了如何提高源气体输送效率和成膜质量的难题；在碳化硅外延炉反应腔体的密封盖中分别设置彼此隔离的C源气进气腔、Si源气进气腔和载气进气腔，在腔体外侧设置水冷却夹层，以达到使这三种气体在进入反应腔前保持较低的相同温度；在源气体进入反应腔前的管路上设置套管，在套管与源气体输送管之间形成有环形的输送载气的通路，在源气的出口处形成筒形的载气气流，以达到使两种源气体在出口处无法碰撞相遇的场景；将Si源气的出口设置成喇叭形，降低反应腔中Si源气气压，使晶圆表面的两种反应气体达到较理想的摩尔比；在反应腔中构架了有利晶圆表面成膜的气体温度加热环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 源载气 输送 结构 | ||
【主权项】：
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