[实用新型]立体集成母线电容的功率半导体架构有效
| 申请号： | 202221198640.4 | 申请日： | 2022-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN217544610U | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 朱楠;史经奎;徐贺;邓永辉;梅营 | 申请（专利权）人： | 致瞻科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 刘兵 |
| 地址： | 201114 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种立体集成母线电容的功率半导体架构，属于半导体的封装技术领域。所述功率半导体架构包括：第一母线电容；上层散热基板，设置于所述第一母线电容的底部；垫高块，设置于所述上层散热基板的底部；功率半导体芯片，设置于所述垫高块的底部；下层散热基板，设置于所述功率半导体芯片的底部；第二母线电容，与所述第一母线电容的设置方向相反，且设置于所述下层散热基板的底部。该功率半导体架构相对于现有技术中的母线电容具有更好的散热效率和集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 集成 母线 电容 功率 半导体 架构 | ||
【主权项】：
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