[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202221049603.7 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN218525577U | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | S·蒙弗莱;S·达尔;A·弗勒雷 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/00;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的MOS晶体管；与MOS晶体管相对应的射频开关，射频开关包括：半导体衬底中的掺杂半导体区；半导体衬底上的至少两个金属化层级，每个金属化层级包括：绝缘层的堆叠；延伸穿过绝缘层的堆叠的导电柱；绝缘层的堆叠内的、并且耦合到导电柱的金属轨道；和至少两个连接元件，每个连接元件连接掺杂半导体区之一，包括导电柱中之一和至少两个金属化层级的金属轨道之一；两个连接元件之间的沟槽，沟槽与半导体衬底上的MOS晶体管之一重叠，以及沟槽内的散热结构，散热结构与MOS晶体管中的第一MOS晶体管重叠，并且散热结构被配置为将热量散发到沟槽外。由此，提供了改进的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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