[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202221049603.7 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN218525577U | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | S·蒙弗莱;S·达尔;A·弗勒雷 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/00;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
半导体衬底；
所述半导体衬底上的MOS晶体管；
与所述MOS晶体管相对应的射频开关，所述射频开关包括：
所述半导体衬底中的掺杂半导体区；
所述半导体衬底上的至少两个金属化层级，每个金属化层级包括：
绝缘层的堆叠；
延伸穿过所述绝缘层的堆叠的导电柱；
所述绝缘层的堆叠内的、并且耦合到所述导电柱的金属轨道；和
至少两个连接元件，每个连接元件连接所述掺杂半导体区中的一个掺杂半导体区，每个连接元件包括所述导电柱中的一个导电柱和所述至少两个金属化层级的所述金属轨道中的一个金属轨道；
所述两个连接元件之间的沟槽，所述沟槽与所述半导体衬底上的所述MOS晶体管中的第一MOS晶体管重叠，以及
所述沟槽内的散热结构，所述散热结构与所述MOS晶体管中的所述第一MOS晶体管重叠，并且所述散热结构被配置为将热量散发到所述沟槽外。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述至少两个金属化层级的所述绝缘层的堆叠包括沿所述沟槽延伸的壁；
所述散热结构在所述至少两个金属化层级的所述绝缘层的堆叠的所述壁上，所述散热结构是防潮的，并且被配置为防止潮湿通过所述沟槽到达所述绝缘层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽具有大于或等于1μm的高度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽具有大于或等于100nm的平均宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热结构是衬于所述沟槽的涂层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述散热结构是防潮的。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述散热结构的厚度为10nm至500nm。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述涂层由如下中的一项制成：氮化铝、二硫化钼、石墨烯、和具有陶瓷颗粒的硅。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽至少部分地被气体或部分真空填充。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽至少部分地被气体混合物填充。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽至少部分地被空气填充。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热结构包括塞，所述塞至少部分地填充所述沟槽。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述塞是防潮的。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热结构包括覆盖所述沟槽的盖。
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述盖是防潮的。
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