[实用新型]屏蔽栅耗尽型功率MOSFET有效
| 申请号： | 202220429579.3 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN217405435U | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 周仲建;王新;张帅 | 申请（专利权）人： | 成都复锦功率半导体技术发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 程余 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了屏蔽栅耗尽型功率MOSFET，属于半导体技术领域。包括漏极金属层、第一导电类型的半导体衬底层、第一导电类型的半导体外延层、介质层和源极金属层，元胞区作为功能区位于半导体外延层的上部；所述元胞区包括设置在沟槽结构中的屏蔽栅和控制栅，在所述屏蔽栅和控制栅之间为介质隔离层，控制栅两侧为栅氧化层，栅氧化层外侧为第一导电类型的导电沟道。本实用新型采用沟槽屏蔽栅结构制作耗尽型MOSFET，利用屏蔽栅的电荷平衡效应提高了器件的击穿电压，同时垂直方向的沟道增加了单位面积的沟道数量，降低了器件导通电阻；同时屏蔽栅结构还大幅度降低了器件栅漏电容CGD，提高了器件开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 耗尽 功率 mosfet | ||
【主权项】：
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