[实用新型]一种集成式基岛框架结构有效

专利信息
申请号: 202220372053.6 申请日: 2022-02-23
公开(公告)号: CN217035629U 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 关竹颖 申请(专利权)人: 无锡华众芯微电子有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 代理人: 曹慧萍
地址: 214000 江苏省无锡市锡山经济技*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开一种集成式基岛框架结构,涉及半导体技术领域。分为高压区和低压区,高压区包括主控芯片基岛、整流二极管基岛、功率管基岛和直连式基岛引脚;低压区包括分离式基岛引脚;整流二极管基岛位于高压区的边侧,整流二极管基岛上设置有直连式基岛引脚,直连式基岛引脚与整流二极管基岛连接;功率管基岛位于高压区另一边侧,与低压区相邻,功率管基岛连接有直连式基岛引脚;主控芯片基岛位于高压区的中部,和整流二极管基岛之间电气隔离,主控芯片基岛上连接有直连式基岛引脚。本实用新型将整流桥结构集成到封装结构内部,整流输出接入主控芯片,节省电源系统应用空间和成本,提高了芯片和功率管的集成度及可应用功率范围。
搜索关键词: 一种 集成 式基岛 框架结构
【主权项】:
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