[实用新型]一种集成式基岛框架结构

说明书

本实用新型公开一种集成式基岛框架结构，涉及半导体技术领域。分为高压区和低压区，高压区包括主控芯片基岛、整流二极管基岛、功率管基岛和直连式基岛引脚；低压区包括分离式基岛引脚；整流二极管基岛位于高压区的边侧，整流二极管基岛上设置有直连式基岛引脚，直连式基岛引脚与整流二极管基岛连接；功率管基岛位于高压区另一边侧，与低压区相邻，功率管基岛连接有直连式基岛引脚；主控芯片基岛位于高压区的中部，和整流二极管基岛之间电气隔离，主控芯片基岛上连接有直连式基岛引脚。本实用新型将整流桥结构集成到封装结构内部，整流输出接入主控芯片，节省电源系统应用空间和成本，提高了芯片和功率管的集成度及可应用功率范围。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种集成式基岛框架结构。

背景技术

半导芯片封装是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。芯片封装起到芯片布局、安放、固定、密封、保护芯片和增强散热性能的作用，可以隔绝外界污染及外力对芯片的破坏。

相关技术中，采用DIP直插式封装技术和SOP贴片式封装技术。其中，直插式封装工艺可用于功率比较大的产品，适合PCB穿孔安装，具有布线和操作较为方便等特点；但是其封装效率低、封装体积较大合芯片整体偏厚的问题。SOP贴片式封装工艺具有封装效率高，封装体积，但其框架结构存在可放芯片面积小、集成度不够高、散热性能较差和可应用功率范围较低的问题，无法集成更多的半导体器件，如更多的整流桥器件等。

实用新型内容

本实用新型提供一种集成式基岛框架结构，解决现有基岛框架集成度不高的问题；所述框架结构分为高压区和低压区，所述框架结构分为高压区和低压区，所述高压区包括整流二极管基岛、功率管基岛和直连基式岛引脚；所述低压区包括主控芯片基岛和分离式基岛引脚；

所述整流二极管基岛位于所述高压区的边侧，所述整流二极管基岛上设置有所述直连式基岛引脚，所述直连式基岛引脚与所述整流二极管基岛直接连接；

所述功率管基岛位于所述高压区另一边侧，且与所述低压区相邻，所述功率管基岛上连接有所述直连式基岛引脚；

所述主控芯片基岛位于所述框架结构的中部，和所述整流二极管基岛以及所述功率管基岛之间电气隔离，所述主控芯片基岛上连接有所述直连式基岛引脚。

具体的，所述高压区用于放置基岛，所述主控芯片基岛上方承载有主控芯片；所述整流二极管基岛上方承载有整流桥器件；所述功率管基岛上方承载有功率管器件；

所述框架结构为矩形结构，所述高压区包括交流高压区和直流高压区，所述整流二极管基岛为交流高压区，所述功率管基岛为直流高压区；所述低压区包括芯片低压区和引脚低压区，所述主控芯片基岛为芯片低压区，且位于交流高压区和直流高压区之间；所述引脚低压区呈矩形结构，且位于靠近所述框架结构直角侧边位置；

具体的，所述引脚低压区设置有三个所述分离式基岛引脚，所述分离式引脚为L形，彼此电气隔离，且不与所述主控芯片基岛以及所述功率管基岛直接接触。

具体的，所述整流二极管基岛包括第一整流二极管基岛、第二整流二极管基岛和第三整流二极管基岛；

所述第一整流二极管基岛和所述第二整流二极管基岛为对称式基岛，位于所述交流高压区的最外侧，上方承载有第一整流桥器件和第二整流桥器件；所述第一整流二极管基岛和所述第二整流二极管基岛上对称设置有一个所述直连式基岛引脚，作为交流输入引脚，用于整流电路的交流电压输入；

所述第三整流二极管基岛位于所述第一整流二极管基岛和所述第二整流二极管基岛内侧，上方承载有第三整流桥器件，通过打线方式与所述第一整流二极管基岛和所述第二整流二极管基岛连接，所述第三整流二极管基岛上设置有一个所述直连式基岛引脚，作为整流输出引脚，用于输出整流后的全波正电压。