[发明专利]一种采用负温度系数栅极电阻的功率器件在审
| 申请号： | 202211732694.9 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115985881A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈斌;朱翔 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/07 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴轶淳 |
| 地址： | 314000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用负温度系数栅极电阻的功率器件，涉及功率器件封装技术领域，包括：基板，基板的表面设有多个功率芯片，基板的一端的表面设有金属电极；多个负温度系数栅极电阻，各负温度系数栅极电阻设于金属电极的表面；各负温度系数栅极电阻的第一电极对应连接各功率芯片的表面栅极，各负温度系数栅极电阻的第二电极连接功率输出端子。有益效果是通过使用负温度系数栅极电阻，其特性是低温阻值大、高温阻值小，可以改善功率器件的低温波形，降低功率器件的高温损耗；由于功率器件发热明显，负温度系数栅极电阻在使用时将获得更小的阻值，有利于降低高温开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 温度 系数 栅极 电阻 功率 器件 | ||
【主权项】：
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