[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及制造方法在审
| 申请号： | 202211731690.9 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116153986A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 任炜强;康剑;春山正光 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 邓骏杰 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗区平*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种高栅可靠性的多晶栅结构及源区独立二极管结构的SiC器件及其制造方法，以实现降低Qgd参数，减少光刻次数降低成本及加工难度，从而提高的SiC MOSFET、IGBT等器件的栅极可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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