[发明专利]NAND闪存及其制作方法在审
| 申请号： | 202211729243.X | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115988881A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 金镇湖 | 申请（专利权）人： | 东芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35 |
| 代理公司： | 南京华讯知识产权代理事务所(普通合伙) 32413 | 代理人： | 仝东凤 |
| 地址： | 201799 上海市青浦区徐泾*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种NAND闪存及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：提供一硅基底，经掩膜刻蚀、在硅基底内形成沿第一方向阵列排布的多个U型沟槽；依次沉积隧道氧化物和浮栅多晶硅，经刻蚀、在硅基底表面及U型沟槽表面依次形成沿第二方向阵列排布的多个条带状的隧道氧化层和浮栅，在相邻浮栅之间的硅基底内形成浅沟槽隔离结构，第二方向垂直于第一方向；经沉积、刻蚀，在浅沟槽隔离结构内形成绝缘层；沉积阻隔氧化材料、覆盖浮栅和绝缘层形成一层阻隔氧化层；沉积控制栅多晶硅、覆盖阻隔氧化层并充满浮栅之间，形成控制栅；沉积栅极材料，在控制栅上形成栅极。本发明的NAND闪存及其制作方法，能够克服短通道效应。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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