[发明专利]NAND闪存及其制作方法

权利要求书

1.一种NAND闪存的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供一硅基底，经掩膜刻蚀、在所述硅基底内形成沿第一方向阵列排布的多个U型沟槽；

S2、依次沉积隧道氧化物和浮栅多晶硅，经刻蚀、在所述硅基底表面及所述U型沟槽表面依次形成沿第二方向阵列排布的多个条带状的隧道氧化层和浮栅，在相邻所述浮栅之间的所述硅基底内形成浅沟槽隔离结构，所述第二方向垂直于所述第一方向；

S3、经沉积、刻蚀，在所述浅沟槽隔离结构内形成绝缘层；

S4、沉积阻隔氧化材料、覆盖所述浮栅和所述绝缘层形成一层阻隔氧化层；沉积控制栅多晶硅、覆盖所述阻隔氧化层并充满所述浮栅之间，形成控制栅；沉积栅极材料，在所述控制栅上形成栅极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述U型沟槽底部的纵截面呈半圆形。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述硅基底表面自然氧化形成有一层基底氧化膜，

所述经掩膜刻蚀、在所述硅基底内形成沿第一方向阵列排布的多个U型沟槽，具体包括：

经沉积，在所述基底氧化膜上形成一层绝缘膜，经刻蚀、去除所述基底氧化膜和所述绝缘膜，在所述硅基底内形成沿第一方向阵列排布的多个U型沟槽。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述浅沟槽隔离结构的纵截面呈倒梯形。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3之后，还包括：

刻蚀所述绝缘层，以与所述硅基底表面平齐。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，形成所述栅极之后，采用注入技术，在所述栅极之间注入源极和漏极。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S4之后，还包括：

S5、沉积氧化物，覆盖所述栅极形成含有气隙的覆盖氧化层；

S6、经刻蚀、在每个条带状的浮栅的两端的所述覆盖氧化层内形成第一柱状槽，在所述第一柱状槽内沉积导电金属，形成第一金属接触点；

S7、经沉积、在所述覆盖氧化层上形成第一介电层，经刻蚀、暴露位于每个条带状的浮栅的一端的所述第一金属接触点的表面，经沉积、覆盖所述第一金属接触点的表面和部分所述覆盖氧化层形成第一金属层；

S8、经沉积、在所述第一介电层上形成第二介电层，经刻蚀、贯穿所述第一介电层和所述第二介电层在所述第一金属接触点的表面上形成第二柱状槽，在所述第二柱状槽内沉积导电金属，形成第二金属接触点；

S9、覆盖所述第二金属接触点的表面及所述第二介电层形成第二金属层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述气隙形成在相邻所述U型沟槽之间的所述硅基底上的所述覆盖氧化层内。

9.一种NAND闪存，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法制备而成。

10.一种NAND闪存，其特征在于，包括硅基底，所述硅基底内凹设有多个U型沟槽，所述多个U型沟槽沿第一方向呈阵列排布；

在所述硅基底表面及所述U型沟槽表面设有沿第二方向呈阵列排布的多个条带状的隧道氧化物层，所述隧道氧化物层上对应设有浮栅、且所述浮栅之间的所述硅基底内设有浅沟槽隔离结构；所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述浅沟槽隔离结构内充满有绝缘层，覆盖所述绝缘层表面和所述浮栅依次设有阻隔氧化层，所述阻隔氧化层上覆盖设有控制栅，所述控制栅表面设有栅极；

自所述U型沟槽之间的所述硅基底表面向上延伸至覆盖所述栅极设有含有气隙的覆盖氧化层，所述气隙分布在所述U型沟槽之间的所述硅基底表面上的所述覆盖氧化层内；

在每个条带状的浮栅的两端的所述覆盖氧化层内分别设有柱状第一金属接触点，所述第一金属接触点贯穿所述所述覆盖氧化层；所述覆盖氧化层表面设有第一介电层和第一金属层，所述金属层设于位于所述浮栅一端的所述第一金属接触点表面；

覆盖所述第一介电层和第一金属层设有第二介电层，贯穿所述第一介电层和所述第二介电层、在位于所述浮栅另一端的所述第一金属接触点表面设有柱状第二金属接触点；

覆盖所述第二金属接触点及所述所述第二介电层设有第二金属层。