[发明专利]一种离子传导层钽酸锂薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202211705267.1 申请日: 2022-12-29
公开(公告)号: CN116200703A 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 沈洪雪;汤永康;李刚;姚婷婷;王天齐;金克武 申请(专利权)人: 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/54;G02F1/1524
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种离子传导层钽酸锂薄膜的制备方法,包括以下步骤:ITO镀膜玻璃为衬底置入溅射腔室内,进行抽真空及预加热,通过环形供气通道内环壁均布的气孔,均匀通入氩气至陶瓷钽酸锂靶才表面;开启射频电源,使陶瓷钽酸锂靶材起辉进行预溅射;通入氧气设定工艺参数,对衬底进行钽酸锂薄膜的制备。本发明的有益效果体现在:1)磁控溅射只进行钽酸锂薄膜的镀制,工艺简单,可控性强;2)在制备薄膜的过程中,通过环形供气通道使得制备的薄膜更均匀,性能更稳定,并且更易控制,重复性较高;在制备过程中保证一定的氧气通入量,避免制备的钽酸锂产生大量的氧缺陷,完全满足离子传导层的性能要求。
搜索关键词: 一种 离子 传导 层钽酸锂 薄膜 制备 方法
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  • 本发明公开了一种长循环电致变色器件的制作方法,其包括以下步骤:S1:分别提供沉积有铈掺杂氧化镍薄膜的第一导电基材和沉积有氧化钨薄膜的第二导电基材;S2:将步骤S1提供的第一导电基材与第二导电基材通过密封胶进行贴合,并限定一空腔;将电解质通过真空灌注的方式,灌入空腔内,最后封装得到长循环电致变色器件;或者将具有热固化或者光固化性质的电解质设置在步骤S1提供的第一导电基材与第二导电基材间,以获得长循环电致变色器件。本发明制作得到的电致变色器件,不仅解决了现有WO3‑NiO互补型电致变色器件电荷容量和电化学窗口不匹配的问题,而且使WO3‑NiO互补型电致变色器件具有长期循环稳定性的性能特点。
  • 一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法-202310228268.X
  • 李文浩;林武;王世博;郑恺 - 福建兆元光电有限公司
  • 2023-03-10 - 2023-08-15 - C23C14/08
  • 本发明涉及LED芯片技术领域,具体涉及一种提高LED芯片亮度的ITO层制备方法,包括如下步骤:将基片和ITO靶材置入蒸镀机;S2:设置蒸镀机抽真空至压强低于5.0E‑4pa,设置蒸镀机温度80‑100度,设置蒸镀机的镀锅转速9‑11RPM;设置蒸镀机的镀率,使基板上蒸镀出的ITO层。本发明的有益效果在于:本发明提供的提高LED芯片亮度的ITO层制备方法中,蒸镀机的压强、温度以及镀率的设置使ITO在蒸镀过程中与空气的氧气充分氧化。在ITO层退火的过程中,向退火炉通入氧气,能使ITO层中的氧原子与退火炉中的氧气结合,促进ITO层中的SnO反应成SnO2,使得ITO层的电阻率降低而透光性提高。
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