[发明专利]半导体器件及其制备方法、电力变换装置在审
| 申请号： | 202211689741.6 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116031292A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 袁新;郑昌伟;王亚飞;宋瓘;李诚瞻;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/16;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 郑哲琦;吴昊 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法、电力变换装置。半导体器件包括：半导体层，具有彼此相对的第一面和第二面，在第一面上设置有凹槽，半导体层包括第一导电类型的第一半导体区域、第二导电类型的第二半导体区域、第一导电类型的第三半导体区域；栅极；栅绝缘层；其中，第一半导体区域在凹槽的表面形成第一表面区域，第二半导体区域在凹槽的表面形成第二表面区域，第三半导体区域在凹槽的表面形成第三表面区域，第二表面区域环绕第一表面区域，第三表面区域环绕第二表面区域，第一表面区域、第二表面区域和第三表面区域连为一体，第二表面区域与栅极相对设置，以受栅极的电压控制形成连接第一半导体区域和第三半导体区域的反型层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 电力 变换 装置 | ||
【主权项】：
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