[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 202211581456.2 | 申请日： | 2022-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN115588723B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;薛聪;王庶民;董建荣 | 申请（专利权）人： | 埃特曼（苏州）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法。所述外延片包括依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，所述p型半导体层包括依次层叠的p型电子阻挡层、p型空穴提供层和p型欧姆接触层，所述p型空穴提供层包括层叠设置的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层中的Al组分含量沿第一方向逐渐降低，所述第一子层与第二子层的界面处形成第一压电极化场，所述第三子层中的Al组分含量沿第一方向逐渐升高，所述第三子层与第二子层的界面处形成第二压电极化场，所述第一压电极化场与第二压电极化场的大小相同而方向相反。本发明提供一种发光二极管的外延片的空穴浓度高且注入能力强，辐射复合发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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