[发明专利]外延生长设备重启方法在审
| 申请号： | 202211562148.5 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN115747756A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 高尚梁;王力;郝宁 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;H01L21/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种外延生长设备重启方法，属于半导体制造技术领域。外延生长设备重启方法，包括：将氢气注入设置在所述外延生长设备内的反应腔中并吹扫氢气预定时间；将晶圆片放置在所述反应腔内部的基座上；在第一温度下向所述反应腔内通入刻蚀气体，流量为15SLM～20SLM，持续时间为30～40s；在第二温度下向所述反应腔内通入硅源气体，流量为20SLM～30SLM，持续时间为40～60s；在生长外延晶片之后测量所述外延晶片的少数载流子MCLT，当MCLT达到预定值时，完成外延生长设备的重启。本发明的技术方案能够提高外延晶片的生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 设备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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