[发明专利]外延生长设备重启方法在审
| 申请号： | 202211562148.5 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN115747756A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 高尚梁;王力;郝宁 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;H01L21/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 生长 设备 方法 | ||
1.一种外延生长设备重启方法，其特征在于，包括：
将氢气注入设置在所述外延生长设备内的反应腔中并吹扫氢气预定时间；
将晶圆片放置在所述反应腔内部的基座上；
在第一温度下向所述反应腔内通入刻蚀气体，流量为15SLM～20SLM，持续时间为30～40s；
在第二温度下向所述反应腔内通入硅源气体，流量为20SLM～30SLM，持续时间为40～60s；
在生长外延晶片之后测量所述外延晶片的少数载流子MCLT，当MCLT达到预定值时，完成外延生长设备的重启。
2.根据权利要求1所述的外延生长设备重启方法，其特征在于，将晶圆片放置在所述反应腔内部的基座上之后，所述方法还包括：
将所述反应腔加热至预定的第一温度，然后稳定所述反应腔。
3.根据权利要求1或2所述的外延生长设备重启方法，其特征在于，所述第一温度为1100℃-1200℃。
4.根据权利要求1所述的外延生长设备重启方法，其特征在于，所述第二温度为1075℃-1175℃。
5.根据权利要求1所述的外延生长设备重启方法，其特征在于，所述硅源气体是三氯硅烷气体；
所述刻蚀气体为HCL。
6.根据权利要求1所述的外延生长设备重启方法，其特征在于，所述在生长所述外延晶片之后测量所述外延晶片的MCLT，还包括重复执行在制造所述外延晶片之后从所述反应腔移出所述外延晶片并清洁所述反应腔的工序，直至MCLT达到预定值。
7.根据权利要求1所述的外延生长设备重启方法，其特征在于，在多次运行进行时，执行测量所述外延晶片的MCLT的步骤，其中，制造一个外延晶片的过程称为一次运行。
8.根据权利要求7所述的外延生长设备重启方法，其特征在于，对应于50、100、150、200、250、300、350和400次运行的外延晶片取为抽样晶片并且测量MCLT值。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
