[发明专利]氮化物半导体激光元件在审
| 申请号： | 202211560742.0 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN116435869A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 森住知典;森藤瑛之 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曲天佐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供抑制了端面损伤的产生的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件具备第一导电型的第一氮化物半导体层、与该第一导电型不同的导电型即第二导电型的第二氮化物半导体层、配置于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间的有源层、与该有源层的所述第二氮化物半导体层的一侧的面相交的光出射侧端面以及光反射侧端面、设于所述光出射侧端面的保护膜，该保护膜从所述光出射侧端面的一侧起依次具备包含铝以及/或者镓与氧的结晶性的第一膜、由氮化膜构成的结晶性的第二膜、包含铝与氧的第三膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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