[发明专利]氮化物半导体激光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体激光元件，其特征在于，具备：

第一导电型的第一氮化物半导体层；与该第一导电型不同的导电型即第二导电型的第二氮化物半导体层；有源层，其配置于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间；与该有源层的所述第二氮化物半导体层的一侧的面相交的光出射侧端面以及光反射侧端面；以及保护膜，其设于所述光出射侧端面，

该保护膜从所述光出射侧端面的一侧起依次具备：包含铝以及/或者镓与氧的结晶性的第一膜、由氮化膜构成的结晶性的第二膜、包含铝与氧的第三膜。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第一膜是包含铝的氧化膜。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第三膜是包含铝的氧化膜。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第二膜是由AlN构成的膜。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第一膜的厚度小于10nm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第三膜的厚度是所述第一膜的厚度的3倍以上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第一膜以及所述第二膜比所述第三膜薄。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第一膜由绝缘膜构成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第三膜是非晶结构的膜或者包含非晶结构与晶体结构的膜。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第二膜的与所述有源层相邻的区域中的结晶的轴取向和所述第二膜的与所述第一氮化物半导体层相邻的区域以及/或者与所述第二氮化物半导体层相邻的区域中的结晶的轴取向相同。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述保护膜具备第四膜，该第四膜设于所述第三膜的与所述第二膜相反的一侧，

所述第四膜的厚度比所述第三膜的厚度大。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述保护膜是第一保护膜，

所述氮化物半导体激光元件具备设于所述光反射侧端面的第二保护膜，

所述第二保护膜具有与所述光反射侧端面接触配置的第一部分和与所述第一部分接触配置的第二部分，

所述第一部分是具有折射率相对低的膜与折射率相对高的膜的多层构造，

所述第二部分由高折射率膜与低折射率膜交替地配置而成。

13.根据权利要求12所述的氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第一部分从所述光反射侧端面的一侧起依次具备包含铝以及/或者镓与氧的结晶性的第五膜、由氮化膜构成的结晶性的第六膜、及包含铝与氧的第七膜。