[发明专利]氮化物半导体激光元件

说明书

目的在于提供抑制了端面损伤的产生的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件具备第一导电型的第一氮化物半导体层、与该第一导电型不同的导电型即第二导电型的第二氮化物半导体层、配置于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间的有源层、与该有源层的所述第二氮化物半导体层的一侧的面相交的光出射侧端面以及光反射侧端面、设于所述光出射侧端面的保护膜，该保护膜从所述光出射侧端面的一侧起依次具备包含铝以及/或者镓与氧的结晶性的第一膜、由氮化膜构成的结晶性的第二膜、包含铝与氧的第三膜。

技术领域

本发明涉及氮化物半导体激光元件。

背景技术

近年来，提出了各种具备半导体激光等作为激励光源、且利用从该激励光源出射的激励光进行照明等的发光装置。

在这种发光装置中，提出了防止形成于谐振器面的保护膜的剥离的氮化物类半导体激光元件(专利文献1)。

专利文献1：日本特开2009－99959号公报

另一方面，特别是在要求高输出的半导体激光中，列举端面损伤(COD：catastrophic optical damage)作为高输出化的极限因素之一。要求克服了这种极限、即抑制了端面损伤的产生的更高输出以及高性能的半导体激光元件。

发明内容

用于解决课题的手段

本发明的一实施方式的氮化物半导体激光元件具备第一导电型的第一氮化物半导体层、与该第一导电型不同的导电型即第二导电型的第二氮化物半导体层、配置于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间的有源层、与该有源层的所述第二氮化物半导体层的一侧的面相交的光出射侧端面以及光反射侧端面、设于所述光出射侧端面的保护膜，

该保护膜从所述光出射侧端面的一侧起依次具备包含铝以及/或者镓与氧的结晶性的第一膜、由氮化膜构成的结晶性的第二膜、包含铝与氧的第三膜。

发明效果

根据本发明的一实施方式，能够提供抑制了端面损伤的产生的氮化物半导体激光元件。

附图说明

图1A是本发明的一实施方式的氮化物半导体激光元件的立体图。

图1B是图1A的主视图。

图1C是图1A的IC－IC线剖面图。

图2是保护膜及其附近的高分辨率透射电子显微镜像。

图3A是第三膜的电子束衍射图像。

图3B是第二膜的电子束衍射图像。

图3C是第一膜的电子束衍射图像。

图3D是氮化物半导体层叠体的电子束衍射图像。

图4是表示本发明的氮化物半导体激光元件的另一例的剖面图。

图5是表示光出射侧端面的一侧的保护膜的另一例的局部放大图。

图6是表示光反射侧端面的一侧的保护膜的一个例子的局部放大图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行说明。但是，以下所示的实施方式例示了用于将本发明的技术思想具体化的方法，并非将本发明特定为以下的实施方式。另外，在以下的说明中，对于相同的名称、附图标记表示相同或同质的部件，适当省略详细说明。

将本实施方式的氮化物半导体激光元件(以下，有时记载为半导体激光元件)表示在图1A～图1C中。图1A是本实施方式的氮化物半导体激光元件的立体图。图1B是图1A的主视图。图1C是图1A的IC－IC线剖面图。在图1A以及图1B中，省略了保护膜24以及保护膜25。