[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202211535330.1 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN116364656A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 焦闵;蔡济印;林大文;周鸿儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的方法包括接收半导体基板，其具有第一半导体材料的半导体表面；形成抗击穿结构于半导体基板中；在第一温度T1对半导体基板进行预烘烤工艺；在第二温度T2外延成长第一半导体材料的未掺杂的半导体层于半导体基板上，且未掺杂的半导体层具有第一厚度t1；在第三温度T3外延成长半导体层堆叠于未掺杂的半导体层上，且第三温度T3小于第二温度T2；图案化半导体基板与半导体层堆叠以形成沟槽，进而定义与沟槽相邻的主动区；形成隔离结构于沟槽中；选择性移除第二半导体层；以及形成栅极结构以包覆每一第一半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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