[发明专利]提升外量子效率的发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211524564.6 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115986017A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;龚逸品;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/32;C30B29/40;C30B25/22 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种提升外量子效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底和位于所述衬底上的外延层，所述外延层包括p型层，所述p型层包括多个第一氮化物半导体层和多个第二氮化物半导体层，多个所述第一氮化物半导体层和多个所述第二氮化物半导体层交替层叠，所述第一氮化物半导体层远离所述衬底的表面的粗糙度大于所述第二氮化物半导体层远离所述衬底的表面的粗糙度。本公开实施例能改善p型层吸收光线的问题，提升发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 量子 效率 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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