[发明专利]提升外量子效率的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括衬底(10)和位于所述衬底(10)上的外延层，所述外延层包括p型层(50)，所述p型层(50)包括多个第一氮化物半导体层(51)和多个第二氮化物半导体层(52)，多个所述第一氮化物半导体层(51)和多个所述第二氮化物半导体层(52)交替层叠，所述第一氮化物半导体层(51)远离所述衬底(10)的表面的粗糙度大于所述第二氮化物半导体层(52)远离所述衬底(10)的表面的粗糙度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述p型层(50)远离所述衬底(10)的表面的粗糙度为5至7。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一氮化物半导体层(51)的厚度与所述第二氮化物半导体层(52)的厚度比值为1.5至5。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层还包括Al膜，所述Al膜位于所述p型层远离衬底的表面。

5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一氮化物半导体层(51)与所述第二氮化物半导体层(52)均为GaN层。

6.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长外延层，所述外延层包括p型层，所述p型层包括多个第一氮化物半导体层和多个第二氮化物半导体层，多个所述第一氮化物半导体层和多个所述第二氮化物半导体层交替层叠，所述第一氮化物半导体层远离所述衬底的表面的粗糙度大于所述第二氮化物半导体层远离所述衬底的表面的粗糙度。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层均为GaN层；

第一个第一氮化物半导体层采用以下方式形成：

控制TMGa源的流量为300sccm至500sccm，Mg源的流量为1000sccm至1500sccm，生长时间为2min至5min；

第一个第二氮化物半导体层采用以下方式形成：

停止通入Mg源，调整TMGa源的流量至500sccm至1000sccm，控制生长时间为3min至5min。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，第二个第一氮化物半导体层采用以下方式形成：

停止通入TMGa源，开始通入Mg源，控制Mg源的流量为1000sccm至1200sccm，生长时间为2min至4min；

第二个第二氮化物半导体层采用以下方式形成：

开始通入TMGa源，控制TMGa源的流量为200sccm至300sccm，调整Mg源的流量为800sccm至1000sccm，控制生长时间为4min至8min。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述p型层包括2至5个第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层交替层叠，所述第一氮化物半导体层的数量和所述第二氮化物半导体层的数量相同。

10.根据权利要求6至9任一项所述的制备方法，其特征在于，在生长所述p型层之后，还包括：

通入Al源，控制Al源的流量为100sccm至200sccm，生长时间为1min至3min，在所述p型层远离衬底的表面形成Al膜。