[发明专利]涂层的形成方法、半导体零部件及等离子体反应装置有效
| 申请号： | 202211515059.5 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115558988B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 段蛟;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/16;C30B29/12;C23C14/24;C23C14/34;C23C14/06;C23C14/08;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 贾慧琴;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种涂层的形成方法、半导体零部件及等离子体反应装置。该方法包含：提供一衬底，其具有一待处理面，待处理面的线粗糙度Ra≤0.3um，测量面积为285.2um×213.8um的最大面高度差Sz≤5um；提供一具有单晶/类单晶结构的靶材，其与衬底相对设置；激发靶材形成气相分子流，使气相分子流运动至待处理面，在待处理面上沉积形成耐等离子体腐蚀涂层，该耐等离子体腐蚀涂层经过X射线衍射得到的衍射峰图谱由一个主峰和若干次峰，每个次峰的强度至少低于主峰的强度1/5，主峰的半峰宽小于1°。本发明耐等离子体腐蚀涂层具有单晶/类单晶结构的同时，对衬底晶格匹配和耐温性的要求大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 涂层 形成 方法 半导体 零部件 等离子体 反应 装置 | ||
【主权项】：
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