[发明专利]发光元件、发光组件及制作方法在审
申请号: | 202211512101.8 | 申请日: | 2022-11-29 |
公开(公告)号: | CN115799294A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 叶雪萍;夏德玲;李佳恩 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人: | 李强 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光元件、发光组件及制作方法。发光元件包括至少两个相邻的发光单元及桥接在相邻发光单元上以形成彼此串联的桥接导电桥;发光单元包括外延结构、介质层;外延结构具有第一表面、第二表面;彼此串联的发光单元之间具有由第一表面向第二表面方向贯穿的沟槽;第二表面开设有若干移除区;介质层覆盖彼此串联的发光单元的第二表面并延伸跨过沟槽,桥接导电桥位于介质层背离外延结构一侧,并通过移除区与外延结构电连接。通过上述设置,使得桥接导电桥无需跨过沟槽进行沉积,从而有效避免桥接导电桥断开。并且在保证器件高压特性的同时,还能避开移除沟槽时的二次对位,有利于芯片制程的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 组件 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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