[发明专利]发光元件、发光组件及制作方法

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，所述发光元件包括：

至少两个相邻的发光单元；

桥接导电桥，所述桥接导电桥桥接在相邻的所述发光单元上以形成彼此串联；

所述发光单元包括外延结构以及介质层；

所述外延结构具有彼此相对的第一表面、第二表面，所述第一表面为出光面；彼此串联的所述发光单元之间具有由所述第一表面向所述第二表面方向贯穿的沟槽；所述第二表面开设有若干不贯穿外延结构的移除区；

所述介质层覆盖所述发光单元的所述第二表面并跨过沟槽延伸覆盖至与之串联的所述发光单元的所述第二表面；所述桥接导电桥位于所述介质层背离所述外延结构的一侧，并通过至少一移除区与外延结构电连接。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：从发光元件的上方向外延结构俯视，若干所述移除区在外延结构上的投影位于所述沟槽在外延结构上的投影范围之外。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述移除区包括位于外延结构内侧的第一内部移除区；所述第一内部移除区用于实现外延结构与桥接导电桥的电连接；所述第一内部移除区到沟槽底部的距离H的范围为0.5～3微米。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述桥接导电桥的厚度范围为0.5～1.5微米，所述桥接导电桥的材料至少包括电介质、金属、半导体材料中的一种。

5.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述外延结构包括由第一表面向第二表面依次层叠的第一类半导体层、发光层以及第二类半导体层；所述介质层上开设有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔贯穿介质层且与所述第一内部移除区相连通；所述第一内部移除区由第二表面向第一表面延伸至裸露出所述发光单元的第一类半导体层；所述第二通孔贯穿介质层并裸露出与所述发光单元彼此串联的另一发光单元的第二类半导体层；

所述桥接导电桥通过所述第一通孔、第二通孔分别与彼此串联的两个所述发光单元的所述第一类半导体层和第二类半导体层电连接。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述介质层的厚度范围是0.5～1.5微米，所述介质层至少包括反射层。

7.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于：所述移除区还包括位于所述外延结构外边缘的外部移除区；所述外部移除区由所述外延结构的第二表面向第一表面移除至暴露出第一类半导体层；所述介质层延伸覆盖至外部移除区。

8.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述沟槽由所述第一表面向所述第二表面方向的开口逐渐减小。

9.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述沟槽具有连接第一表面和第二表面的沟槽侧壁，所述沟槽侧壁由至少一平面或至少一弧面或前述组合形成。

10.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于：所述沟槽具有位于所述沟槽侧壁与所述第一表面连接处的顶边以及位于所述沟槽侧壁与所述第二表面连接处的底边；所述顶边与所述底边的公垂线与所述第二表面的夹角θ小于90°。

11.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于：所述夹角θ的范围为大于等于45°且小于70°，或大于等于70°且小于80°，或大于等于80°且小于90°。

12.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于：所述夹角θ的范围为大于45°且小于75°。

13.根据权利要求9-12任一项所述的发光元件，其特征在于：所述沟槽侧壁为一倾斜平面或一倾斜弧面。

14.根据权利要求13所述的发光元件，其特征在于：所述沟槽侧壁为倾斜弧面时，所述倾斜弧面的切线与第二表面的夹角β大于30°且小于90°，且夹角β逐渐增大或逐渐减小。