[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211485788.0 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115939222A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张磊;柴亚玲;陶永洪 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/41;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/329;H01L21/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804 | 代理人： | 刁益帆 |
| 地址： | 410000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本披露公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件，包括：衬底；外延层，设置在衬底上；第一钝化介质层，设置在外延层上；第二钝化介质层，设置在外延层上且与第一钝化介质层并排设置，第一钝化介质层、第二钝化介质层和外延层之间被配置为用于容纳金属电极的第一凹陷区；金属电极，设置外延层上且在第一凹陷区内，金属电极的上表面与第一钝化介质层和第二钝化介质层的上表面平齐。该半导体器件的钝化介质层的弯折很小，分散了弯曲带来的剪切应力，从而有效降低了半导体器件在升温降温过程中开裂的概率，保障了半导体器件的质量，同时有效防止了钝化介质层开裂所导致的封装材料对芯片湿气保护能力丧失的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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