[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202211460500.4 | 申请日： | 2022-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN115696922A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 曹新满 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 孟嘉欣 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成图案化的阻隔结构和接触材料层，阻隔结构包括层叠设置的电连接层和保护层，阻隔结构的开口定义出位线接触孔的位置，接触材料层形成于位线接触孔中，接触材料层的顶面高于电连接层的顶面；获取接触材料层的顶面与电连接层的顶面之间的初始距离；若初始距离大于预设距离，使位于表层的接触材料层反应形成牺牲层，位于牺牲层下方的接触材料层作为接触层，以使接触层的顶面与电连接层的顶面之间的距离不大于预设距离；去除牺牲层。通过该方式，能够较为有效地避免传统技术中位线接触上方的位线材料更早被刻蚀的问题，进而改善位线接触上方的位线偏细的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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