[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202211455576.8 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115763478A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 宋思德;刘杰;宋宏光;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底，衬底包括有源区；有源区用于形成存储单元和LDMOS；有源区位于隔离结构的两侧分别形成有第一导电类型阱区和第一导电类型漂移区；第一导电类型阱区的上表面形成有相邻的隧穿氧化层和场氧化层；栅极结构包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部。半导体器件将存储单元和LDMOS器件集成在同一衬底上，形成可存储的高压功率器件。存储单元的浮栅和LDMOS的槽栅连接为一体且为单层栅极结构，含有隧穿氧化层结构，通过带带隧穿的方式编程，通过存储单元的浮栅与LDMOS的槽栅相连从而控制LDMOS的开/关状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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