[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区用于形成存储单元和LDMOS；所述有源区中形成有隔离结构，所述有源区位于所述隔离结构的两侧分别形成有第一导电类型阱区和第一导电类型漂移区；所述第一导电类型阱区的上表面形成有相邻的隧穿氧化层和场氧化层；所述第一导电类型漂移区中形成有所述LDMOS的源区和漏区；

栅极结构，所述栅极结构包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部，所述栅极横向部覆盖所述隧穿氧化层和所述场氧化层，所述栅极纵向部位于所述隔离结构的沟槽中。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

第二导电类型体区，所述第二导电类型体区从所述第一导电类型漂移区中延伸至所述有源区的上表面且与所述隔离结构相邻。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型体区内靠近所述有源区的上表面的区域形成有相邻的第二导电类型重掺杂区和所述源区，所述源区与所述隔离结构相邻，所述源区为第一导电类型重掺杂区，所述源区和所述第二导电类型重掺杂区上表面形成有所述LDMOS的源极电极。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

第一控制区，所述第一控制区位于所述隧穿氧化层远离所述隔离结构一侧的所述第一导电类型阱区中，所述第一控制区为第二导电类型的离子掺杂；

第二控制区，所述第二控制区位于所述第一导电类型阱区内靠近所述有源区的上表面的区域，所述第二控制区为所述第一导电类型掺杂；

所述第二控制区的上表面形成有第二控制电极，所述第一控制区的上表面形成有第一控制电极。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的编程包括：

在所述第一控制电极施加偏置电压范围：-7V～-6V，在所述第二控制电极施加0V，电子在所述隧穿氧化层处的纵向电场作用下注入到所述栅极结构上，所述LDMOS的所述第二导电类型体区的沟道处断开，表现为状态“1”。

6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的擦除包括：

所述栅极结构上的电子被紫外光照射擦除后，在所述LDMOS的所述第二导电类型体区的沟道处形成反型层，所述漏区偏置时，在所述漏区和所述源区之间形成电流通道，表现为状态“0”。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一导电类型缓冲区，所述第一导电类型缓冲区从所述第一导电类型漂移区中延伸至所述有源区的上表面，所述第一导电类型缓冲区内靠近所述有源区的上表面的区域形成有所述漏区，所述漏区的上表面形成有所述LDMOS的漏极电极。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，所述栅极横向部包括相连接的第一栅极横向部和第二栅极横向部，所述第一栅极横向部覆盖所述隧穿氧化层，所述第二栅极横向部覆盖所述场氧化层。

9.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

栅氧层，所述栅氧层位于所述隔离结构的沟槽中且位于所述栅极纵向部与所述第二导电类型体区之间，所述栅氧层通过热氧化工艺形成。

10.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区用于形成存储单元和LDMOS；所述有源区中形成有隔离结构，所述有源区位于所述隔离结构的两侧分别形成有第一导电类型阱区和第一导电类型漂移区；所述第一导电类型阱区的上表面形成有相邻的隧穿氧化层和场氧化层；所述第一导电类型漂移区中形成有所述LDMOS的源区和漏区；

形成栅极结构，所述栅极结构包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部，所述栅极横向部覆盖所述隧穿氧化层和所述场氧化层，所述栅极纵向部位于所述隔离结构的沟槽中。