[发明专利]一种micro-LED芯片的巨量转移方法在审
| 申请号： | 202211391064.X | 申请日： | 2022-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN115692460A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 汪恒青;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种micro‑LED芯片的巨量转移方法，包括：提供若干载体基板、若干单色LED、若干转移标记、掩膜、承接基板；将所述掩膜、所述单色LED载体基板、所述承接基板自上而下排列；将所述单色LED载体基板依次置于所述掩膜与所述承接基板之间并进行对位；激光器发射出的激光光斑在所述掩膜上完成面扫，以使所述单色LED、所述转移标记转移至所述承接基板上，本发明通过设计不同的转移标记与对位方式，简化了巨量转移过程与后续芯片封装过程，同时也实现了芯片转移的高利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 巨量 转移 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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