[发明专利]一种micro-LED芯片的巨量转移方法

说明书

本发明提供了一种micro‑LED芯片的巨量转移方法，包括：提供若干载体基板、若干单色LED、若干转移标记、掩膜、承接基板；将所述掩膜、所述单色LED载体基板、所述承接基板自上而下排列；将所述单色LED载体基板依次置于所述掩膜与所述承接基板之间并进行对位；激光器发射出的激光光斑在所述掩膜上完成面扫，以使所述单色LED、所述转移标记转移至所述承接基板上，本发明通过设计不同的转移标记与对位方式，简化了巨量转移过程与后续芯片封装过程，同时也实现了芯片转移的高利用率。

技术领域

本发明属于半导体LED的技术领域，具体地涉及一种micro-LED芯片的巨量转移方法。

背景技术

巨量转移技术是Micro-LED制造过程中最重要的一部分，主要是将成千上万颗Micro-LED芯片从载体基板转移到目标基板的技术。

现有巨量转移技术针对的大都是应用于COG的产品，对位方式简单，但缺少一套能应用于micro-LED巨量转移方法。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种micro-LED芯片的巨量转移方法，用于解决现有技术中存在的技术问题。

该发明提供以下技术方案，一种micro-LED芯片的巨量转移方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、提供若干载体基板、若干单色LED及若干转移标记，通过光敏性胶层将所述单色LED及所述转移标记临时键合在对应的所述载体基板上，以形成若干单色LED载体基板；

步骤二、提供一掩膜，所述掩膜上设有与所述单色LED对应设置的若干LED掩膜孔、与所述转移标记对应设置的一标记掩膜孔；

步骤三、提供一承接基板，在所述承接基板上制备承接胶层；

步骤四、将所述掩膜、所述单色LED载体基板、所述承接基板自上而下排列，其中，所述承接胶层与所述单色LED相对设置，所述掩膜固定设置，所述单色LED载体基板与所述承接基板在竖直方向上的投影重合；

步骤五、将所述单色LED载体基板上的其中一个所述转移标记与所述掩膜上的所述标记掩膜孔对位；

步骤六、对位完成后，在所述掩膜上方设置一激光器，所述激光器发射出的激光光斑跟随振镜移动，以使所述激光光斑在所述掩膜上完成面扫，以使所述单色LED、所述转移标记转移至所述承接基板上。

相比现有技术，本申请的有益效果为：本申请通过设计与不同单色LED对应的转移标记以及对应的掩膜与单色LED载体基板的对位方式，以实现micro-LED芯片的巨量转移，通过设计转移标记以简化并方便后续micro-LED芯片的测试以及封装过程，同时通过不同转移标记的定义，以实现芯片转移的高利用率，能够实现micro-LED边缘芯片的转移，以克服矩形小区域转移所存在的缺陷。

较佳的，若干所述单色LED矩形阵列排布在所述光敏性胶层上，所述光敏性胶层上预留有转移标记区，若干所述转移标记矩形阵列排布在所述转移标记区内。

较佳的，在所述步骤一中，所述通过光敏性胶层将所述单色LED及所述转移标记临时键合在对应的所述载体基板上的步骤包括：在所述载体基板上通过旋涂、喷涂、贴膜的方式制备一层3um-20um厚的光敏性胶层，将所述单色LED、所述转移标记与所述载体基板进行贴合，放入压力机加压100kg-750kg压力，150-230℃下恒温1-3h，以完成所述单色LED、所述转移标记及所述载体基板的临时键合。

较佳的，在所述步骤二中，所述掩膜包括透光层以及沉积在所述透光层上的不透光层，所述不透光层上设有掩膜图案，以使所述透光层部分裸露，若干所述LED掩膜孔以及一所述标记掩膜孔组成所述掩膜图案，所述透光层由石英材质制成，所述不透光层为铬层。