[发明专利]一种micro-LED芯片的巨量转移方法

权利要求书

1.一种micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤一、提供若干载体基板、若干单色LED及若干转移标记，通过光敏性胶层将所述单色LED及所述转移标记临时键合在对应的所述载体基板上，以形成若干单色LED载体基板；

步骤二、提供一掩膜，所述掩膜上设有与所述单色LED对应设置的若干LED掩膜孔、与所述转移标记对应设置的一标记掩膜孔；

步骤三、提供一承接基板，在所述承接基板上制备承接胶层；

步骤四、将所述掩膜、所述单色LED载体基板、所述承接基板自上而下排列，其中，所述承接胶层与所述单色LED相对设置，所述掩膜固定设置，所述单色LED载体基板与所述承接基板在竖直方向上的投影重合；

步骤五、将所述单色LED载体基板上的其中一个所述转移标记与所述掩膜上的所述标记掩膜孔对位；

步骤六、对位完成后，在所述掩膜上方设置一激光器，所述激光器发射出的激光光斑跟随振镜移动，以使所述激光光斑在所述掩膜上完成面扫，以使所述单色LED、所述转移标记转移至所述承接基板上。

2.根据权利要求1所述的micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，若干所述单色LED矩形阵列排布在所述光敏性胶层上，所述光敏性胶层上预留有转移标记区，若干所述转移标记矩形阵列排布在所述转移标记区内。

3.根据权利要求1所述的micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，在所述步骤一中，所述通过光敏性胶层将所述单色LED及所述转移标记临时键合在对应的所述载体基板上的步骤包括：在所述载体基板上通过旋涂、喷涂、贴膜的方式制备一层3um-20um厚的光敏性胶层，将所述单色LED、所述转移标记与所述载体基板进行贴合，放入压力机加压100kg-750kg压力，150-230℃下恒温1-3h，以完成所述单色LED、所述转移标记及所述载体基板的临时键合。

4.根据权利要求1所述的micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，在所述步骤二中，所述掩膜包括透光层以及沉积在所述透光层上的不透光层，所述不透光层上设有掩膜图案，以使所述透光层部分裸露，若干所述LED掩膜孔以及一所述标记掩膜孔组成所述掩膜图案，所述透光层由石英材质制成，所述不透光层为铬层。

5.根据权利要求1所述的micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述在所述承接基板上制备承接胶层的步骤包括：在所述承接基板上通过旋涂、喷涂的方式制备一层1um-10um厚的PDMS层，而后放入烤箱170℃-200℃下固化5-15min或者在365nm波长、能量10-80mW/cm²的紫外光下固化5-15min，以完成所述承接胶层的制备。

6.根据权利要求1所述的micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述单色LED载体基板与所述承接基板之间的距离不大于10um，所述掩膜与所述单色LED载体基板之间的距离范围为10um~200000um。

7.根据权利要求1所述的micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述激光器为激光波长为266nm的固体激光器或激光波长为248nm的准分子激光器。

8.根据权利要求1所述的micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述单色LED包括红光LED、绿光LED及蓝光LED，所述单色LED载体基板包括红光载体基板、绿光载体基板及蓝光载体基板，所述转移标记包括红光标记、绿光标记及蓝光标记。

9.根据权利要求8所述的micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，在所述步骤六中，根据步骤四与步骤五，将所述红光载体基板上的其中一个所述红光标记与所述掩膜上的所述标记掩膜孔对位，对位完成后，在所述掩膜上方设置一激光器，所述激光器发射出的激光光斑跟随振镜移动，以使所述激光光斑在所述掩膜上完成面扫，以使所述红光LED、所述红光标记转移至所述承接基板上。

10.根据权利要求9所述的micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，在所述步骤六之后，所述方法还包括：

步骤七、将所述绿光载体基板替换所述红光载体基板，并将所述绿光载体基板上的其中一个所述绿光标记与所述掩膜上的所述标记掩膜孔对位，且所述绿光载体基板与所述承接基板在竖直方向上的投影重合，对位完成后，将所述承接基板横向移动X距离，重复步骤六，以使所述绿光LED、所述绿光标记转移至所述承接基板上；

步骤八、将所述蓝光载体基板替换所述绿光载体基板，并将所述蓝光载体基板上的其中一个所述蓝光标记与所述掩膜上的所述标记掩膜孔对位，且所述蓝光载体基板与所述承接基板在竖直方向上的投影重合，对位完成后，将所述承接基板继续横向移动X距离，重复步骤六，以使所述蓝光LED、所述蓝光标记转移至所述承接基板上；

步骤九、重复步骤五至步骤八，直至所述单色LED载体基板全部转移完成。