[发明专利]硅片翻转装置及硅片镀膜处理系统在审
申请号: | 202211370731.6 | 申请日: | 2022-11-03 |
公开(公告)号: | CN115637423A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 林佳继;朱鹤囡;戴佳 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/24;H01L31/20 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
地址: | 214192 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于半导体制造和太阳能光伏电池制造技术领域,公开了一种硅片翻转装置,该装置包括硅片安置机构,硅片安置机构包括安置框和翻转架,翻转架可翻转地设在安置框内且用于固定硅片;该装置包括翻转机构,翻转机构的输出端与翻转架连接以对翻转架进行翻转;该装置包括限制机构,限制机构连接翻转架以及安置框以对翻转前后的翻转架限位。硅片镀膜处理系统包括上述硅片翻转装置,使安置在翻转架上的硅片经过翻转机构可实现翻转,翻转机构提供翻转动力,限制机构能够在翻转前后对翻转架进行限位,避免其在翻转前后偏位,共同作用即无需将安置框移出加工的工艺腔至转换腔中翻转硅片,减少了转换腔的设置,减少机构的设置,从而减少了成本。 | ||
搜索关键词: | 硅片 翻转 装置 镀膜 处理 系统 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的