[发明专利]硅片翻转装置及硅片镀膜处理系统在审
申请号: | 202211370731.6 | 申请日: | 2022-11-03 |
公开(公告)号: | CN115637423A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 林佳继;朱鹤囡;戴佳 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/24;H01L31/20 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
地址: | 214192 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 翻转 装置 镀膜 处理 系统 | ||
本发明属于半导体制造和太阳能光伏电池制造技术领域,公开了一种硅片翻转装置,该装置包括硅片安置机构,硅片安置机构包括安置框和翻转架,翻转架可翻转地设在安置框内且用于固定硅片;该装置包括翻转机构,翻转机构的输出端与翻转架连接以对翻转架进行翻转;该装置包括限制机构,限制机构连接翻转架以及安置框以对翻转前后的翻转架限位。硅片镀膜处理系统包括上述硅片翻转装置,使安置在翻转架上的硅片经过翻转机构可实现翻转,翻转机构提供翻转动力,限制机构能够在翻转前后对翻转架进行限位,避免其在翻转前后偏位,共同作用即无需将安置框移出加工的工艺腔至转换腔中翻转硅片,减少了转换腔的设置,减少机构的设置,从而减少了成本。
技术领域
本发明涉及半导体制造和太阳能光伏电池制造技术领域,尤其涉及一种硅片翻转装置及硅片镀膜处理系统。
背景技术
当采用大硅片制作异质结太阳能电池和半导体时,利用化学气相沉积(CVD)工艺在表面织构化后的N型晶体硅的一面上沉积很薄的I型本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,并在晶体硅的另一面沉积薄的I型本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜,这就要求硅片在镀膜P、N工艺之间进行硅片翻面,如何使载板上的硅片翻面,对提高镀膜效率有很大关系。现有生产线中在两道加工工艺之间增加一个转换腔,在转换腔中进行翻面,此种方式需要额外增加转换腔室,并且在转换腔中增加多套设备,结构复杂,步骤多,并且成本高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅片翻转装置及硅片镀膜处理系统,无需将硅片移出加工工艺腔即可实现翻转,减少了转换腔和多套设备的设置,简化结构,节约成本。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
硅片翻转装置,包括:
硅片安置机构,所述硅片安置机构包括安置框和翻转架,所述翻转架可翻转地设在所述安置框内且用于固定硅片;
翻转机构;所述翻转机构的输出端与所述翻转架连接,所述翻转机构的输入端能够与外部驱动机构的输出端连接以对所述翻转架进行翻转;
限制机构,所述限制机构连接所述翻转架以及所述安置框,以对翻转前后的所述翻转架单向限位。
作为优选,所述翻转机构包括传动轴,所述传动轴的一端连接于所述翻转架的外端,所述传动轴上设有传动齿轮,所述传动齿轮能够与外部驱动机构的输出端连接。
作为优选,所述限制机构具有第一转接部和第二转接部,所述第一转接部与所述翻转架连接,所述第二转接部与所述安置框连接,所述第一转接部上设有第一限位部,所述第二转接部上设有与所述第一限位部相配合的第二限位部;所述第一转接部和所述第二转接部相对转动时通过所述第一限位部和所述第二限位部单向卡接限位。
作为优选,所述第一转接部和所述第二转接部为环形座,所述环形座包括两个首尾连接的半环形座,任意一个所述半环形座的第一端的高度高于其第二端的高度;任意一个所述半环形座的第一端与任意另一个所述半环形座的第二端连接形成所述环形座。
作为优选,所述安置框内设有第一固定板,所述第二转接部设置在所述第一固定板上,所述翻转架上设有突出键,所述突出键依次穿过所述第一固定板以及所述第一转接部与所述第二转接部连接。
作为优选,所述第二转接部与所述第一固定板相平行的所述安置框上的边框之间通过弹性件连接。
作为优选,所述翻转架包括主动翻转架和若干从动翻转架,所述翻转机构与所述主动翻转架连接,所述从动翻转架通过连杆机构与所述主动翻转架连接。
作为优选,所述限制机构设置在至少一个所述从动翻转架上。
作为优选,所述连杆机构包括连杆,所述连杆上设有旋转板,所述旋转板与所述从动翻转架通过转接轴连接,所述旋转板上设有固定轴,所述旋转板通过所述固定轴与所述从动翻转架连接。
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