[发明专利]组对结构非易失性存储器的局部位线选择电路及操作方法有效
| 申请号： | 202211341569.5 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115394331B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 禹小军;金波 | 申请（专利权）人： | 杭州领开半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/12 | 分类号： | G11C8/12;G11C7/18;G11C8/14;G11C16/24;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 卢云芊 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种组对结构非易失性存储器的局部位线选择电路。该局部位线选择电路位于存储模块的外围，包括多个位线选择管组，每个位线选择管组包括第一位线选择管和第二位线选择管；局部位线与存储模块连接，一个位线选择管组与一个局部位线组对应连接，其中，第一位线选择管的漏极与第一局部位线连接，第二位线选择管的漏极与第二局部位线连接，第一全局位线与第一位线选择管的源极对应连接，第二全局位线与第二位线选择管的源极对应连接。该局部位线选择电路所用器件数量少，有助于降低局部位线选择电路占用的芯片面积，降低芯片成本，并改善读写数据干扰，提高芯片可靠性。本发明还提供一种组对结构非易失性存储器的操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 非易失性存储器 局部 选择 电路 操作方法 | ||
【主权项】：
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