[发明专利]组对结构非易失性存储器的局部位线选择电路及操作方法

权利要求书

1.一种组对结构非易失性存储器的局部位线选择电路，其特征在于，所述组对结构非易失性存储器包括存储模块和与所述存储模块连接的多个局部位线组；所述存储模块包括阵列排布的多个组对存储单元，所述存储模块中同一列的组对存储单元共用一个所述局部位线组；

每个所述组对存储单元包括第一存储管和第二存储管，所述第一存储管的漏极和同一所述组对存储单元的第二存储管的源极连接，所述第一存储管的栅极和所述第二存储管的栅极分别与两根不同的字线连接；每个所述局部位线组包括第一局部位线和第二局部位线；与所述局部位线组对应的所述组对存储单元中，所述第一存储管的源极与所述第一局部位线连接，所述第二存储管的漏极与所述第二局部位线连接；

所述局部位线选择电路位于所述存储模块的外围，包括多个位线选择管组，每个所述位线选择管组包括第一位线选择管和第二位线选择管；一个所述位线选择管组与一个所述局部位线组对应连接，其中，所述第一位线选择管的漏极与所述第一局部位线连接，所述第二位线选择管的漏极与所述第二局部位线连接，第一全局位线与所述第一位线选择管的源极对应连接，第二全局位线与所述第二位线选择管的源极对应连接。

2.如权利要求1所述的局部位线选择电路，其特征在于，所述位线选择管组还包括Dummy选择管，所述Dummy选择管与同一个所述位线选择管组中的第二位线选择管位于所述存储模块的同一侧；所述Dummy选择管的源极与所述存储模块中靠近所述Dummy选择管的存储管共用一源漏区，且所述Dummy选择管的源极与对应的所述局部位线组的第一局部位线连接；所述Dummy选择管的漏极与同一个所述位线选择管组中的第二位线选择管的漏极共用一源漏区，且所述Dummy选择管的漏极与对应的所述局部位线组的第二局部位线连接。

3.如权利要求2所述的局部位线选择电路，其特征在于，一个所述位线选择管组对应一个所述存储模块，且所述位线选择管组的第一位线选择管、第二位线选择管以及Dummy选择管与对应的所述存储模块形成在同一阱区内。

4.如权利要求2所述的局部位线选择电路，其特征在于，同一所述位线选择管组中，所述第一位线选择管位于对应的所述存储模块的一侧，所述第二位线选择管和所述Dummy选择管位于对应的所述存储模块的另一侧。

5.如权利要求2所述的局部位线选择电路，其特征在于，所述第一位线选择管、所述第二位线选择管和所述Dummy选择管为相同导电类型的晶体管。

6.如权利要求2所述的局部位线选择电路，其特征在于，所述第一位线选择管、所述第二位线选择管以及所述Dummy选择管与所述存储模块中的存储管共用有源区，所述第一位线选择管、所述第二位线选择管以及所述Dummy选择管与所述存储管之间未设置隔离结构。

7.如权利要求1至6任一项所述的局部位线选择电路，其特征在于，在所述存储模块的擦除和编程过程中，同一阱区内所有局部位线所连接的存储管都能够通过其连接的字线所施加的电压设置为选中状态或未选中状态；在所述存储模块的数据读取过程中，通过位线选择管选中的局部位线所连接的存储管能够通过其连接的字线所施加的电压设置为选中状态或未选中状态，未选中的局部位线所连接的存储管均处于非读取状态。

8.一种组对结构非易失性存储器的操作方法，其特征在于，利用如权利要求1至7任一项所述的局部位线选择电路对所述组对结构非易失性存储器的选中存储模块进行擦除操作，对所述选中存储模块进行擦除操作的方法包括：

对所述选中存储模块所在的阱区施加正电压；

所述选中存储模块中需要擦除的存储管连接的字线施加第一负电压，其余的存储管连接的字线均施加正电压；以及

所述组对结构非易失性存储器的全局位线均施加正电压或悬浮；所述全局位线施加的正电压通过所述选中存储模块对应的所述位线选择管组的选择管传递至所述选中存储模块连接的局部位线。