[发明专利]具有多外延层衬底配置的氧化物场沟槽功率MOSFET在审
| 申请号： | 202211337750.9 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN116072700A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杨延诚;金剑华;叶威扬;阮文征 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 丁君军 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各实施例总体上涉及具有多外延层衬底配置的氧化物场沟槽功率MOSFET。一种半导体衬底包括：掺杂有第一类型掺杂剂的基底衬底层；在基底衬底层上的第一外延层，第一外延层具有第一厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第一电阻率；在第一外延层上的第二外延层，第二外延层具有第二厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第二电阻率(小于第三电阻率)；以及在第二外延层上的第三外延层，第三外延层具有第三厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第三电阻率(小于第二电阻率)。一种氧化物场沟槽晶体管包括具有绝缘多栅区和多源区的沟槽，该沟槽延伸到半导体衬底中并且穿过第一掺杂区、第二掺杂区和第三外延层并且部分地进入第二外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外延 衬底 配置 氧化物 沟槽 功率 mosfet | ||
【主权项】：
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