[发明专利]中介层结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202211332381.4 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115579324A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 叶国梁;胡胜;占琼;周俊;孙鹏;杨道虹 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种中介层结构及其制作方法，包括：提供一基板；形成第一开孔，在第一开孔中填充第一导电层；在基板的第一表面形成第一介质层，在第一介质层中形成第一再分布金属层；形成第二开孔，在第二开孔中填充第二导电层；在基板的第二表面形成第二介质层，在第二介质层中形成第二再分布金属层。在基板厚度方向的两侧均形成再分布金属层用于布线，满足高密度互联的需求。第一开孔和第二开孔分别从基板厚度方向的两侧形成且连通构成TSV孔，从而可制作较厚的中介层；克服TSV孔中电镀填充金属层等工艺中深宽比工艺极限的限制，降低了中介层高温下形变影响，甚至可以省去集成电路衬底单独使用，节约了成本与功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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