[发明专利]一种半导体处理装置在审
申请号: | 202211329939.3 | 申请日: | 2022-10-27 |
公开(公告)号: | CN115595560A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 刘振;吴凤丽;张孝勇;野沢俊久;杨华龙;金基烈;陈新益 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陶玉龙 |
地址: | 110171 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造设备技术领域,更具体的说,涉及一种半导体处理装置。本发明提供了一种半导体处理装置,包括至少一个反应腔,所述反应腔包括:喷淋板,设置有抽气孔,用于将喷淋板与加热盘之间的反应区域的气体抽出至腔体抽气通道衬套;加热盘,用于对喷淋板加热;腔内衬套,安装在腔体内侧;腔体抽气通道衬套,设置在腔体侧壁的内部;所述腔体抽气通道衬套,设置有抽气通道,所述抽气通道与喷淋板的抽气孔连接,所述抽气通道设置多层导流环,所述多层导流环之间相互叠加分布。本发明提供的半导体处理装置,通过对半导体反应腔的多层导流环在抽气区域的组合使用,实现将反应区域的气体均匀地排到工艺抽气区域后排出。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 处理 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的