[发明专利]一种半导体处理装置在审

专利信息
申请号: 202211329939.3 申请日: 2022-10-27
公开(公告)号: CN115595560A 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 刘振;吴凤丽;张孝勇;野沢俊久;杨华龙;金基烈;陈新益 申请(专利权)人: 拓荆科技股份有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;H01L21/67
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陶玉龙
地址: 110171 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及半导体制造设备技术领域,更具体的说,涉及一种半导体处理装置。本发明提供了一种半导体处理装置,包括至少一个反应腔,所述反应腔包括:喷淋板,设置有抽气孔,用于将喷淋板与加热盘之间的反应区域的气体抽出至腔体抽气通道衬套;加热盘,用于对喷淋板加热;腔内衬套,安装在腔体内侧;腔体抽气通道衬套,设置在腔体侧壁的内部;所述腔体抽气通道衬套,设置有抽气通道,所述抽气通道与喷淋板的抽气孔连接,所述抽气通道设置多层导流环,所述多层导流环之间相互叠加分布。本发明提供的半导体处理装置,通过对半导体反应腔的多层导流环在抽气区域的组合使用,实现将反应区域的气体均匀地排到工艺抽气区域后排出。
搜索关键词: 一种 半导体 处理 装置
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